소재 라이브러리

Thin-Film Specifications

• Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
• Substrate : Si (100)
• Thickness : 150 nm
• Film Crystallinity : (-402) oriented polycrystals
• RMS Roughness : 6.917 nm
• Resistance ON/OFF ratio : > 1.0 × 10⁴
• Transition temperature : < 60 °C

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Thin-Film Specifications

• Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
• Substrate : Si (100)
• Thickness : 150 nm
• Refractive Index (n) : 2.534084 (@ 587 nm) / 2.422304 (@ 1525 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.000000 (@ 587 nm) / 0.000000 (@ 1525 nm)

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Thin-Film Specifications

• Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
• Substrate : Si (100)
• Thickness : 132.4 nm
• Film Crystallinity : Broad amorphous peak
• RMS Roughness : 0.291 nm
• Refractive Index (n) : 2.1367 (@ 587 nm) / 2.067869 (@ 1525 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.000000 (@ 587 nm) / 0.000000 (@ 1525 nm)

Target Specifications

Thin-Film Specifications

• Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
• Substrate : Si (100)
• Thickness : 345.3 nm
• Refractive Index (n) : 2.020440 (@ 587 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.000000 (@ 587 nm)

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Thin-Film Specifications

• Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
• Substrate : Si (100)
• Thickness : 85 nm
• Refractive Index (n) : 1.985522 (@ 587 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.000003 (@ 587 nm)

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Thin-Film Specifications

• Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
• Substrate : Si (100)
• Thickness : 125 nm
• Sheet resistance : 44 Ω/sq / Resistivity: 5.49E-06 Ω·m
• Transmittance : >90%
• Refractive Index (n) : 1.991928 (@ 587 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.007197 (@ 587 nm)

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Thin-Film Specifications

• Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
• Substrate : Si (100)
• Thickness : 50 nm
• Refractive Index (n) : 2.118204 (@ 587 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.000000 (@ 587 nm)

Target Specifications

Thin-Film Specifications

• Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
• Substrate : Si (100)
• Thickness : 107.6 nm
• Film Crystallinity : Broad amorphous peak
• RMS Roughness : 1.238 nm
• Refractive Index (n) : 1.4567 (@ 587 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.000000 (@ 587 nm)

Target Specifications

Thin-Film Specifications

• Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
• Substrate : Si (100)
• Thickness : 141 nm
• Refractive Index (n) : 1.998737 (@ 587 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.03812 (@ 587 nm)

Target Specifications

Thin-Film Specifications

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Thin-Film Specifications

• Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
• Substrate : Si, Pt
• Leakage current : < 1×10⁻⁸ A
• Remanent polarization : 101.19 µC·cm⁻²

Target Specifications

Thin-Film Specifications

• Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
• Substrate : Si (100)
• Thickness : 37.035 nm
• Refractive Index (n) : 2.011712 (@ 587 nm) / 2.061467 (@ 1525 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.000066 (@ 587 nm) / 0.000000 (@ 1525 nm)

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Thin-Film Specifications

• Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
• Substrate : Si (100)
• Thickness : 250 nm
• Refractive Index (n) : 4.594714 (@ 587 nm) / 3.727408 (@ 1525 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.596195 (@ 587 nm) / 0.000000 (@ 1525 nm)

Target Specifications

Thin-Film Specifications

• Film-coated by thermal ALD process vacuum < 1.0 × 10⁻2 Torr
• Substrate : Si (100)
• Breakdown field : > 7 MV/cm
• Dielectric constant (ε) : > 7
• Refractive Index (n) : 1.666831(@ 587 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.000000(@ 587 nm)
• Growth per cycle (GPC) : 1.1 Å/cycle

Process Specifications

Thin-Film Specifications

• Film-coated by thermal ALD process vacuum < 1.0 × 10⁻2 Torr
• Substrate : Si (100)
• Breakdown field : > 5 MV/cm
• Dielectric constant (ε) : > 20
• Refractive Index (n) : 2.012921(@ 587 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.000000(@ 587 nm)
• Growth per cycle (GPC) : 1.0 Å/cycle

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Thin-Film Specifications

• Film-coated by thermal ALD process vacuum < 1.0 × 10⁻2 Torr
• Substrate : Si (100)
• Refractive Index (n) : 2.339362(@ 587 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.004537(@ 587 nm)
• Growth Per Cycle (GPC) : TTIP 0.3 Å/cycle / TDMAT 0.5 Å/cycle

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