알루미늄 스칸듐 질화물
AlScN증착 방식: PVD — Sputter & Evaporator
분류: 질화물
화학식: AlScN
AlN·Sc 코스퍼터링(1.0 × 10⁻⁶ Torr 이하, Si/Pt 기판)으로 증착하는 강유전 알루미늄 스칸듐 질화물(AlScN) 박막입니다. 잔류분극 101.19 µC·cm⁻², 누설전류 1 × 10⁻⁸ A 이하로 강유전 메모리와 차세대 압전 MEMS를 겨냥합니다. 타깃: AlN 99.95 % + Sc 99.99 %, 3인치.
Specifications
Thin-Film Specifications
- Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
- Substrate : Si, Pt
- Leakage current : < 1×10⁻⁸ A
- Remanent polarization : 101.19 µC·cm⁻²
Target Specifications
- AlScN co-sputtering
- Aluminium Nitride (AlN) target — Purity : 99.95% · Diameter : 3”
- Scandium (Sc) target — Purity : 99.99% · Diameter : 3”
Target