차세대 하드웨어를 위한
첨단 박막 소재

Thin-Film Specifications

• Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
• Substrate : Si (100)
• Thickness : 150 nm
• Film Crystallinity : (-402) oriented polycrystals
• RMS Roughness : 6.917 nm
• Resistance ON/OFF ratio : > 1.0 × 10⁴
• Transition temperature : < 60 °C

Target Specifications

• Target Material : Vanadium Dioxide (VO2)
• Purity : 99.99%
• Diameter : 4”

Target

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Thin-Film Specifications

• Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
• Substrate : Si (100)
• Thickness : 150 nm
• Refractive Index (n) : 2.534084 (@ 587 nm) / 2.422304 (@ 1525 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.000000 (@ 587 nm) / 0.000000 (@ 1525 nm)

Target Specifications

• Target Material : Titanium Dioxide
• Purity : 99.99%
• Diameter : 3”

Target

Thin-Film Specifications

• Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
• Substrate : Si (100)
• Thickness : 132.4 nm
• Film Crystallinity : Broad amorphous peak
• RMS Roughness : 0.291 nm
• Refractive Index (n) : 2.1367 (@ 587 nm) / 2.067869 (@ 1525 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.000000 (@ 587 nm) / 0.000000 (@ 1525 nm)

Target Specifications

• Material : Tantalum Pentoxide (Ta2O5)
• Purity : 99.95%
• Diameter : 3”

Target

Thin-Film Specifications

• Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
• Substrate : Si (100)
• Thickness : 345.3 nm
• Refractive Index (n) : 2.020440 (@ 587 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.000000 (@ 587 nm)

Target Specifications

• Target Material : Hafnium Oxide
• Purity : 99.9%
• Diameter : 2”, 3”

Target

Thin-Film Specifications

• Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
• Substrate : Si (100)
• Thickness : 85 nm
• Refractive Index (n) : 1.985522 (@ 587 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.000003 (@ 587 nm)

Target Specifications

• Target Material : Zinc Oxide
• Purity : 99.99%
• Diameter : 2”, 3”

Target

Thin-Film Specifications

• Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
• Substrate : Si (100)
• Thickness : 125 nm
• Sheet resistance : 44 Ω/sq / Resistivity: 5.49E-06 Ω·m
• Transmittance : >90%
• Refractive Index (n) : 1.991928 (@ 587 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.007197 (@ 587 nm)

Target Specifications

• Target Material : Indium Tin Oxide
• Purity : 99.5%
• Diameter : 3”

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Thin-Film Specifications

• Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
• Substrate : Si (100)
• Thickness : 50 nm
• Refractive Index (n) : 2.118204 (@ 587 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.000000 (@ 587 nm)

Target Specifications

• Target Material : Nickel Oxide
• Purity : 99.99%
• Diameter : 3”

Target

Thin-Film Specifications

• Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
• Substrate : Si (100)
• Thickness : 107.6 nm
• Film Crystallinity : Broad amorphous peak
• RMS Roughness : 1.238 nm
• Refractive Index (n) : 1.4567 (@ 587 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.000000 (@ 587 nm)

Target Specifications

• Target Material : Silicon Dioxide (SiO2)
• Purity : 99.9%
• Diameter : 2”, 3”

Target

Thin-Film Specifications

• Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
• Substrate : Si (100)
• Thickness : 141 nm
• Refractive Index (n) : 1.998737 (@ 587 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.03812 (@ 587 nm)

Target Specifications

• Target Material : Tin Dioxide
• Purity : 99.5%
• Diameter : 3”

Target

Thin-Film Specifications

Target Specifications

• Target Material : Titanium Nitride (TiN)
• Purity : 99.99%
• Diameter : 2”

Target

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Thin-Film Specifications

• Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
• Substrate : Si, Pt
• Leakage current : < 1×10⁻⁸ A
• Remanent polarization : 101.19 µC·cm⁻²

Target Specifications

• AlScN co-sputtering
• Aluminium Nitride (AlN) target — Purity : 99.95% · Diameter : 3”
• Scandium (Sc) target — Purity : 99.99% · Diameter : 3”

Target

Thin-Film Specifications

• Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
• Substrate : Si (100)
• Thickness : 37.035 nm
• Refractive Index (n) : 2.011712 (@ 587 nm) / 2.061467 (@ 1525 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.000066 (@ 587 nm) / 0.000000 (@ 1525 nm)

Target Specifications

• Target Material : Silicon Nitride
• Purity : 99.99%
• Diameter : 3”

Target

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Thin-Film Specifications

Target Specifications

• Target Material : Gold (Au)
• Purity : 99.99%
• Diameter : 2”

Target

Thin-Film Specifications

Target Specifications

• Target Material : Platinum (Pt)
• Purity : 99.95%
• Diameter : 2”

Target

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Thin-Film Specifications

Target Specifications

• Target Material : Titanium (Ti)
• Purity : 99.99%
• Diameter : 2”, 3”

Target

Thin-Film Specifications

Target Specifications

• Target Material : Chromium (Cr)
• Purity : 99.95%
• Diameter : 3”

Target

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Thin-Film Specifications

Target Specifications

• Target Material : Molybdenum (Mo)
• Purity : 99.95%
• Diameter : 2”

Target

Thin-Film Specifications

Target Specifications

• Target Material : Hafnium (Hf)
• Purity : 99.95%
• Diameter : 2”

Target

Thin-Film Specifications

Target Specifications

• Target Material : Scandium (Sc)
• Purity : 99.99%
• Diameter : 3”

Target

Thin-Film Specifications

Target Specifications

• Target Material : Tungsten (W)
• Purity : 99.95%
• Diameter : 2”

Target

Thin-Film Specifications

Target Specifications

• Target Material : Palladium (Pd)
• Purity : 99.99%
• Diameter : 2”

Target

Thin-Film Specifications

Target Specifications

• Target Material : Rhodium (Rh)
• Purity : 99.99%
• Diameter : 2”

Target

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Thin-Film Specifications

• Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
• Substrate : Si (100)
• Thickness : 250 nm
• Refractive Index (n) : 4.594714 (@ 587 nm) / 3.727408 (@ 1525 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.596195 (@ 587 nm) / 0.000000 (@ 1525 nm)

Target Specifications

• Target Material : Silicon (Si)
• Purity : 99.9%
• Diameter : 2”, 3”

Target

Thin-Film Specifications

• Film-coated by thermal ALD process vacuum < 1.0 × 10⁻2 Torr
• Substrate : Si (100)
• Breakdown field : > 7 MV/cm
• Dielectric constant (ε) : > 7
• Refractive Index (n) : 1.666831(@ 587 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.000000(@ 587 nm)
• Growth per cycle (GPC) : 1.1 Å/cycle

Process Specifications

Thin-Film Specifications

• Film-coated by thermal ALD process vacuum < 1.0 × 10⁻2 Torr
• Substrate : Si (100)
• Breakdown field : > 5 MV/cm
• Dielectric constant (ε) : > 20
• Refractive Index (n) : 2.012921(@ 587 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.000000(@ 587 nm)
• Growth per cycle (GPC) : 1.0 Å/cycle

Process Specifications

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Thin-Film Specifications

• Film-coated by thermal ALD process vacuum < 1.0 × 10⁻2 Torr
• Substrate : Si (100)
• Refractive Index (n) : 2.339362(@ 587 nm)
• Extinction Coefficient (k) : 0.004537(@ 587 nm)
• Growth Per Cycle (GPC) : TTIP 0.3 Å/cycle / TDMAT 0.5 Å/cycle

Process Specifications

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