질화 규소
SiNₓ증착 방식: PVD — Sputter & Evaporator
분류: 질화물
화학식: SiNₓ
RF 마그네트론 스퍼터링으로 증착하는 질화 규소(SiNₓ) 박막입니다. 37 nm 막 기준 굴절률 2.012 @ 587 nm(1525 nm에서 2.061), 소광계수 ≈ 0으로 패시베이션·포토닉 도파로에 널리 쓰입니다. 타깃: 순도 99.99 %, 3인치.
Specifications
Thin-Film Specifications
- Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
- Substrate : Si (100)
- Thickness : 37.035 nm
- Refractive Index (n) : 2.011712 (@ 587 nm) / 2.061467 (@ 1525 nm)
- Extinction Coefficient (k) : 0.000066 (@ 587 nm) / 0.000000 (@ 1525 nm)
Target Specifications
- Target Material : Silicon Nitride
- Purity : 99.99%
- Diameter : 3”
Target