산화 아연
ZnO증착 방식: PVD — Sputter & Evaporator
분류: 산화물
화학식: ZnO
RF 마그네트론 스퍼터링으로 증착하는 산화 아연(ZnO) 박막입니다. 85 nm 막 기준 굴절률 1.986 @ 587 nm이며, 투명 전자소자·압전층·UV 광전자에 두루 쓰이는 광대역 산화물입니다. 타깃: 순도 99.99 %, 2–3인치.
Specifications
Thin-Film Specifications
- Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
- Substrate : Si (100)
- Thickness : 85 nm
- Refractive Index (n) : 1.985522 (@ 587 nm)
- Extinction Coefficient (k) : 0.000003 (@ 587 nm)
Target Specifications
- Target Material : Zinc Oxide
- Purity : 99.99%
- Diameter : 2”, 3”
Target