인듐 주석 산화물
ITO증착 방식: PVD — Sputter & Evaporator
분류: 산화물
화학식: ITO
RF 마그네트론 스퍼터링으로 증착하는 투명 전도성 인듐 주석 산화물(ITO) 박막입니다. 125 nm 막 기준 면저항 44 Ω/sq(비저항 5.49 × 10⁻⁶ Ω·m), 투과율 90 % 이상으로 디스플레이·터치패널·스마트 글라스의 표준 투명 전극입니다. 타깃: 순도 99.5 %, 3인치.
Specifications
Thin-Film Specifications
- Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
- Substrate : Si (100)
- Thickness : 125 nm
- Sheet resistance : 44 Ω/sq / Resistivity: 5.49E-06 Ω·m
- Transmittance : >90%
- Refractive Index (n) : 1.991928 (@ 587 nm)
- Extinction Coefficient (k) : 0.007197 (@ 587 nm)
Target Specifications
- Target Material : Indium Tin Oxide
- Purity : 99.5%
- Diameter : 3”
Target