산화 하프늄
HfO₂증착 방식: ALD
분류: 산화물
화학식: HfO₂
열 ALD(TDMAH + H₂O/O₃, 200–250 °C, 최대 12인치)로 성장하는 산화 하프늄(HfO₂)입니다. 절연파괴전계 5 MV/cm 이상, 유전율 20 이상, 성장률 1.0 Å/cycle — 현대 소자의 고유전 게이트·커패시터 유전막입니다.
Specifications
Thin-Film Specifications
- Film-coated by thermal ALD process vacuum < 1.0 × 10⁻2 Torr
- Substrate : Si (100)
- Breakdown field : > 5 MV/cm
- Dielectric constant (ε) : > 20
- Refractive Index (n) : 2.012921(@ 587 nm)
- Extinction Coefficient (k) : 0.000000(@ 587 nm)
- Growth per cycle (GPC) : 1.0 Å/cycle
Process Specifications
- Precursor : TDMAH(Tetrakis(dimethylamino)hafnium(IV))
- Reactant : H2O, O3
- Process Capability : 6-inch, 12-inch
- Temperature Window : 200 ~ 250 °C
- Applications : High-k Gate Dielectric, Capacitor Dielectric, Interfacial Layer