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산화 하프늄

HfO₂

증착 방식: ALD

분류: 산화물

화학식: HfO₂

열 ALD(TDMAH + H₂O/O₃, 200–250 °C, 최대 12인치)로 성장하는 산화 하프늄(HfO₂)입니다. 절연파괴전계 5 MV/cm 이상, 유전율 20 이상, 성장률 1.0 Å/cycle — 현대 소자의 고유전 게이트·커패시터 유전막입니다.

Specifications

Thin-Film Specifications

산화 하프늄 Breakdown field — Breakdown field

산화 하프늄 Dielectric constant — Dielectric constant

산화 하프늄 Optical constants — Optical constants

산화 하프늄 Cycle test — Cycle test

산화 하프늄 Wafer thickness map — Wafer thickness map

Film-coated by thermal ALD process vacuum < 1.0 × 10⁻2 Torr
Substrate : Si (100)
Breakdown field : > 5 MV/cm
Dielectric constant (ε) : > 20
Refractive Index (n) : 2.012921(@ 587 nm)
Extinction Coefficient (k) : 0.000000(@ 587 nm)
Growth per cycle (GPC) : 1.0 Å/cycle

Process Specifications

Precursor : TDMAH(Tetrakis(dimethylamino)hafnium(IV))
Reactant : H2O, O3
Process Capability : 6-inch, 12-inch
Temperature Window : 200 ~ 250 °C
Applications : High-k Gate Dielectric, Capacitor Dielectric, Interfacial Layer

산화 하프늄 TDMAH precursor structure

TDMAH

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