산화 알루미늄
Al₂O₃증착 방식: ALD
분류: 산화물
화학식: Al₂O₃
열 ALD(TMA + H₂O/O₃, 150–250 °C, 최대 12인치)로 성장하는 산화 알루미늄(Al₂O₃)입니다. 절연파괴전계 7 MV/cm 이상, 유전율 7 이상, 굴절률 1.667 @ 587 nm, 성장률 1.1 Å/cycle — 게이트 유전막·표면 패시베이션의 기준 소재입니다.
Specifications
Thin-Film Specifications
- Film-coated by thermal ALD process vacuum < 1.0 × 10⁻2 Torr
- Substrate : Si (100)
- Breakdown field : > 7 MV/cm
- Dielectric constant (ε) : > 7
- Refractive Index (n) : 1.666831(@ 587 nm)
- Extinction Coefficient (k) : 0.000000(@ 587 nm)
- Growth per cycle (GPC) : 1.1 Å/cycle
Process Specifications
- Precursor : TMA(Trimethylaluminium)
- Reactant : H2O, O3
- Process Capability : 6-inch, 12-inch
- Temperature Window : 150 ~ 250 °C
- Applications : Gate Dielectric, Surface Passivation, Conformal Dielectric Coating