산화 알루미늄

Al₂O₃

증착 방식: ALD

분류: 산화물

화학식: Al₂O₃

열 ALD(TMA + H₂O/O₃, 150–250 °C, 최대 12인치)로 성장하는 산화 알루미늄(Al₂O₃)입니다. 절연파괴전계 7 MV/cm 이상, 유전율 7 이상, 굴절률 1.667 @ 587 nm, 성장률 1.1 Å/cycle — 게이트 유전막·표면 패시베이션의 기준 소재입니다.

Specifications

Thin-Film Specifications

산화 알루미늄 Breakdown field — Breakdown field

산화 알루미늄 Dielectric constant — Dielectric constant

산화 알루미늄 Optical constants — Optical constants

산화 알루미늄 Wafer thickness map — Wafer thickness map

산화 알루미늄 TEM image (10 nm) — TEM image (10 nm)

산화 알루미늄 TEM image (200 nm) — TEM image (200 nm)

Film-coated by thermal ALD process vacuum < 1.0 × 10⁻2 Torr
Substrate : Si (100)
Breakdown field : > 7 MV/cm
Dielectric constant (ε) : > 7
Refractive Index (n) : 1.666831(@ 587 nm)
Extinction Coefficient (k) : 0.000000(@ 587 nm)
Growth per cycle (GPC) : 1.1 Å/cycle

Process Specifications

Precursor : TMA(Trimethylaluminium)
Reactant : H2O, O3
Process Capability : 6-inch, 12-inch
Temperature Window : 150 ~ 250 °C
Applications : Gate Dielectric, Surface Passivation, Conformal Dielectric Coating

TMA

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