실리콘
Si증착 방식: PVD — Sputter & Evaporator
분류: 반도체
화학식: Si
RF 마그네트론 스퍼터링(Si (100))으로 증착하는 실리콘(Si) 박막입니다. 250 nm 막 기준 굴절률 4.595 @ 587 nm(1525 nm에서 3.727)로, 광학·센서·소자 연구용 비정질 실리콘 층을 제공합니다. 타깃: 순도 99.9 %, 2–3인치.
Specifications
Thin-Film Specifications
- Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
- Substrate : Si (100)
- Thickness : 250 nm
- Refractive Index (n) : 4.594714 (@ 587 nm) / 3.727408 (@ 1525 nm)
- Extinction Coefficient (k) : 0.596195 (@ 587 nm) / 0.000000 (@ 1525 nm)
Target Specifications
- Target Material : Silicon (Si)
- Purity : 99.9%
- Diameter : 2”, 3”
Target