오산화 탄탈럼
Ta₂O₅증착 방식: PVD — Sputter & Evaporator
분류: 산화물
화학식: Ta₂O₅
RF 마그네트론 스퍼터링으로 증착하는 저손실 광학용 오산화 탄탈럼(Ta₂O₅) 박막입니다. 132.4 nm 비정질 막 기준 RMS 거칠기 0.291 nm, 굴절률 2.137 @ 587 nm, 적외선 대역까지 소광계수 0으로 광집적회로(PIC) 도파로 소재로 적합합니다. 타깃: 순도 99.95 %, 3인치.
Specifications
Thin-Film Specifications
- Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
- Substrate : Si (100)
- Thickness : 132.4 nm
- Film Crystallinity : Broad amorphous peak
- RMS Roughness : 0.291 nm
- Refractive Index (n) : 2.1367 (@ 587 nm) / 2.067869 (@ 1525 nm)
- Extinction Coefficient (k) : 0.000000 (@ 587 nm) / 0.000000 (@ 1525 nm)
Target Specifications
- Material : Tantalum Pentoxide (Ta2O5)
- Purity : 99.95%
- Diameter : 3”
Target