산화 하프늄
HfO₂증착 방식: PVD — Sputter & Evaporator
분류: 산화물
화학식: HfO₂
RF 마그네트론 스퍼터링(1.0 × 10⁻⁶ Torr 이하, Si (100))으로 증착하는 산화 하프늄(HfO₂) 박막입니다. 345.3 nm 막 기준 굴절률 2.020 @ 587 nm, 소광계수 0으로 고유전(high-k) 절연막·광학 코팅에 폭넓게 쓰입니다. 타깃: 순도 99.9 %, 2–3인치.
Specifications
Thin-Film Specifications
- Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
- Substrate : Si (100)
- Thickness : 345.3 nm
- Refractive Index (n) : 2.020440 (@ 587 nm)
- Extinction Coefficient (k) : 0.000000 (@ 587 nm)
Target Specifications
- Target Material : Hafnium Oxide
- Purity : 99.9%
- Diameter : 2”, 3”
Target