이산화 규소
SiO₂증착 방식: PVD — Sputter & Evaporator
분류: 산화물
화학식: SiO₂
RF 마그네트론 스퍼터링으로 증착하는 이산화 규소(SiO₂) 박막입니다. 107.6 nm 비정질 막 기준 RMS 거칠기 1.238 nm, 굴절률 1.457 @ 587 nm로 절연·광학 다층막의 표준 저굴절 유전체입니다. 타깃: 순도 99.9 %, 2–3인치.
Specifications
Thin-Film Specifications
- Film-coated by RF magnetron sputtering vacuum < 1.0 × 10⁻⁶ Torr
- Substrate : Si (100)
- Thickness : 107.6 nm
- Film Crystallinity : Broad amorphous peak
- RMS Roughness : 1.238 nm
- Refractive Index (n) : 1.4567 (@ 587 nm)
- Extinction Coefficient (k) : 0.000000 (@ 587 nm)
Target Specifications
- Target Material : Silicon Dioxide (SiO2)
- Purity : 99.9%
- Diameter : 2”, 3”
Target